部品実験:MOSFET

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事前知識 　2024/6/30

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１．MOSFETの特性について ２．MOSFET　R6025ANZ　の動作

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１．MOSFETの特性について 静電容量特性 MOSFET は、ゲートがシリコン酸化膜で絶縁されている構造であるため、ドレイン、ゲート、ソースの各端子間には、右図に示すような静電容量が存在します。 Ciss は入力容量、Crss は帰還容量、Coss は出力容量です。この容量は、MOSFET のスイッチング性能に影響を及ぼします。 MOSFET 電気的特性（電荷容量特性）について　Qg/Qgs1/Qgd/QSW/QOSS ■ゲート電荷容量特性 　MOSFETは入力端子ゲートG が絶縁されていますので、ゲート端子から見た電荷量Q が重要なパラメーターになります。 ■ゲート入力電荷量Qg 　ゲート電圧が、ゼロから指定された電圧となるまでの総電荷量です。 　後に実験しますがR6025ANZは　VDD=300V　ID=25A　VGS＝10V　の時　88nCになっています。 　 ■ゲート・ソース間電荷量 1 Qgs1 　ゲートに電圧を印加してからミラー期間の手前までにゲート・ソース間容量を充電する電荷量です。 ■ゲート・ドレイン間電荷量 Qgd 　ドレイン・ソース間電圧が低下しゲート・ドレイン間の容量を充電するミラー期間の電荷量です。 ■ゲートスイッチ電荷量 Qsw 　Vth を超えてミラー期間が終わるまでのゲート蓄積電荷量です。 ■出力電荷量Qoss 　ドレイン・ソース間の電荷量です。 [目次に戻る]

２．MOSFET　R6025ANZ　の動作 下記回路はBHカーブトレーサーの回路です。 〇の部分でR3とMOSFETのゲートが今回のRC回路にあてはまります。 R4については 回路を簡単にすると右図のようになります。 [目次に戻る]